浙江大學余杭量子研究院研發的 100kV 電子束（EBL）曝光機「羲之」，號稱性能已能媲美國際主流設備，同時售價低於國際平均水準，但生產效率仍顯不足。

外媒報導，「羲之」定位精度可達 0.6 奈米，接近 ASML High-NA EUV 標準。但由於採用「逐點書寫」（point-by-point writing）──電子束必須像筆逐點描繪電路圖案──因此製作一片晶圓需要更長時間，生產效率遠低於 EUV 系統。

中國受美國出口管制影響，無法取得最先進的 EUV 機台，只能依賴 DUV，並透過多重圖案化技術（multiple patterning）推進製程，導致成本偏高、良率不佳。中芯國際的 5 奈米量產因此受阻，華為也被限制在 7 奈米製程，使麒麟晶片性能提升有限。

為了突破 EUV 技術瓶頸，中國正積極尋找本土化解方。哈爾濱團隊之前研發出能產生 13.5 奈米 EUV 光的 LDP 光源，並在華為東莞工廠測試，最快今年第三季展開試產；如今浙江大學又帶來 EBL 新設備。至於這些努力能否真正轉化為實質技術突破，仍有待觀察。

• China Reportedly Develops Lithography Machine With Precision Rivalling ASML’s High-NA EUV, But Limited to Research Applications, Not Mass Production

（首圖來源：中國杭州人民政府）

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(责任编辑：大麦)